您好、欢迎来到现金彩票网!
当前位置:21点 > 字符输入设备 >

如何进行PLC字符与数据之间转换的详细资料概述

发布时间:2019-06-10 15:30 来源:未知 编辑:admin

  编程过程中不可避免会接触到数据运算、比较等操作,当两个操作数类型不同时就需要进行转换,所以数据转换指令也是编程的重要指令。但是很多人往往不是太了解ASCII

  有些设备在通信过程中发送的报文是ASCII形式,那么就需要将其转换成数据。

  1. ASCII字符字符是指计算机中使用的字母、数字、字和符号,包括:1、2、3、A、B、C、~!·#¥%……—*()——+等等。在 ASCII 编码中,一个英文字母字符存储需要1个字节

  字符串变量是一个字符序列,其中的每个字符均以字节形式存储。STRING 数据类型的第一个字节定义字符串的长度,即字符字节数。

  下图所示为存储器中以变量形式存储的 STRING 数据类型。字符串的长度可以是 0 到 254 个字符。变量字符串的最大存储要求为 255 个字节(长度字节加上 254 个字符)。

  如果直接在程序编辑器中输入常数字符串参数(最多 126 个字符),或在数据块编辑器中初始化变量字符串(最多 254 个字符),则字符串赋值必须以双引号字符开始和结束。

  ASCII 字符数组指令的字符输入输出采用 BYTE数据类型。ASCII 字符数组为被引用的字节地址序列,与字符串类似,只是没有指定长度。由于未使用长度字节,因此该数组并不是 STRING 数据类型。可使用 ASCII 字符串指令处理 STRING 数据类型的变量。

  1)整数转字符串(I_S):将整数字 IN 转换为长度为 8 个字符的 ASCII 字符串。

  格式 (FMT) 分配小数点右侧的转换精度,并指定小数点显示为逗号还是句点。结果字符串会写入从OUT 处开始的 9 个连续字节中。

  nnn表示小数点右侧的位数,可设置为0-5。c 位指定使用逗号 (c=1) ,使用小数点 (c=0) 作为整数部分与小数部分之间的分隔符。

  下图还给出了值的示例,其格式为:使用小数点(c = 0),小数点右侧有三位数 (nnn = 011)。OUT 处的值为下一字节地址中存储的字符串的长度。

  双整数转换为字符串的指令会将双整数 IN 转换 为长度为 12 个字符的 ASCII 字符串。格式(FMT) 分配小数点右侧的转换精度,并指定小数点显示为 逗号还是句点。结果字符串会写入从OUT 处开始的13 个连续字节中。

  输出字符串的长度始终为 12 个字符。输出缓冲区中小数点右侧的位数由nnn 字段指定。nnn 字段的有效范围是 0 到 5。如果分配0 位数到小数点右侧,则该值不显示小数点。对于nnn 大于 5 的值,输出为 12 个 ASCII 空格字符组成的字符串。c 位指定使用逗号 (c=1) 还是小数点 (c=0) 作为整数与小数部分之间的分隔符。格式的高4 位必须是零。

  下图还给出了一个值的示例,其格式为:使用小数点(c = 0),小数点右侧有四位数 (nnn = 100)。OUT 处的值为下一字节地址中存储的字符串的长度。

  实数转换为字符串的指令会将实数值 IN 转换为 ASCII 字符串。格式(FMT) 分配小数点右侧的转换精度、小数点显示为逗号还是点以及输出字符串的长度。转换结果放置在以OUT 开头的字符串中。结果字符串的长度在格式中指定,可以是3到 15 个字符。

  CPU使用的实数格式最多支持 7 位有效数字。尝试显示7 位以上有效数字会产生舍入错误。输出字符串的长度由ssss 字段指定。0、1 或 2 个字节大小无效。输出缓冲区中小数点右侧的位数由nnn 字段分配。nnn 字段的有效范围是 0 到5。如果分配0 位数到小数点右侧,则该值不显示小数点。如果nnn 大于 5,或者因分配的输出字符串长度太小而无法存储转换的值,则会用 ASCII 空格字符填充输出字符串。c 位指定使用逗号 (c=1) 还是小数点 (c=0) 作为整数与小数部分之间的分隔符。

  下图还给出了一个值的示例,其格式为:小数点(c = 0),小数点右侧有一位数(nnn = 001),输出字符串的长度为 6 个字符 (ssss = 0110)。OUT 处的值为下一字节地址中存储的字符串的长度。

  INDX 转换的起始字符参数,INDX 值通常设为 1,从字符串的第一个字符开始 转换。INDX 值可设置为其它值,以在字符串中的不同点处开始转换。当输入字符串包含不属于要转换的数字一部分的文本时,可采用此方法,遇到不可转换的将自动终止。例如, 如果输入字符串为“Temperature:77.8”,可将INDX设置为 13 来跳过字符串开头的单词 “Temperature:”转换结果77。

  将字符串转换为实数的指令不会转换以科学记数法或指数形式表示实数的字符串。该指令不会产生溢出错误(SM1.1),但会将字符串转换为指数之前的实数,然后终止转换。例如,字符串“1.234E6”会转换为实数值 1.234,而不会出现错误。

  将整数值 IN 转换为 ASCII 字符数组。格式参数FMT 将分配小数点右侧的转换精度,并指定小数点显示为逗号还是句点。得出的转换结果将存入以OUT 分配的地址开始的8 个连续字节中。

  将双字 IN 转换为 ASCII 字符数组。格式参数FMT 指定小数点右侧的转换精度。得出的转换结果将存入以OUT 开头的 12 个连续字节中。

  输出缓冲区的大小始终为 12 个字节。输出缓冲区中小数点右侧的位数由nnn 字段分配。nnn 字段的有效范围是 0 到 5。如果分配0 位数到小数点右侧,则转换后的值无小数点。对于nnn 值大于 5 的情况,将使用 ASCII 空格字符填充输出缓冲区。c 位指定使用逗号 (c=1) 还是小数点 (c=0) 作为整数部分与小数部分之间的分隔符。4 个最高有效位必须始终为零。

  将实数值 IN 转换成 ASCII 字符。格式参数FMT指定小数点右侧的转换精度、小数点显示为逗号还是点以及输出缓冲区大小。得出的转换结果会存入以OUT 开头的输出缓冲区中。

  得出的 ASCII 字符数(或长度)就是输出缓冲区的大小,它的值在 3 到 15 个字节或字符之间。实数格式最多支持7 位有效数字。尝试显示7 位以上的有效数字将导致舍入错误。

  下图显示了 RTA 指令的格式操作数 (FMT)。通过ssss 字段分配输出缓冲区的大小。0、1 或 2 个字节大小无效。输出缓冲区中小数点右侧的位数由nnn 字段分配。nnn 字段的有效范围是 0 到 5。如果分配0 位数到小数点右侧,则转换后的值无小数点。如果nnn 的值大于 5 或者分配的输出缓冲区太小以致无法存储转换后的值,则使用 ASCII 空格填充输出缓冲区。c 位指定使用逗号 (c=1) 还是小数点 (c=0) 作为整数部分与小数部分之间的分隔符。

  下图给出了一个数值作为示例,其格式为使用小数点 (c=0)、小数点右侧有一位(nnn=100)、缓冲区的大小为六个字节 (ssss=0111)。

  将从输入字节 IN 开始的十六进制数转换为从 OUT 开始的 ASCII 字符。由长度LEN 分配要转换的十六进制数的位数。可以转换的ASCII 字符或十六进制数的最大数目为 255。

  将从 IN 开始,LEN个长度的 ASCII字符转换为从 OUT 开始的十六进制数。可转换的 最大 ASCII 字符数为 255 个字符。

  如果VB0,VB1,VB2,VB3为‘3’,‘5’,‘8’,‘6’则转换

  文章出处:【微信号:GKYXT1508,微信公众号:工控云学堂】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

  我们将《嵌入式工程师-系列课程》分成两大阶段:第一阶段:《计算机体系结构》课程 分成4篇:分别是

  我们将《嵌入式工程师-系列课程》分成两大阶段:第一阶段:《计算机体系结构》课程 分成4篇:分别是

  工业控制系统(ICS)是指对工业生产过程安全(Safety)、信息安全(Security)和可靠运行....

  PLC全名是可编程逻辑控制器的英文简称,在台湾地区简称为“可程器”,根据名称它的作用主要是用来实现工....

  0引言 我们在进行嵌入式系统设计的过程中,根据需求,要设计出特定的嵌入式应用系统,而嵌入式应用系统的设计包含硬件系统设计...

  把“命门”掌握在自己手中 我国光电子芯片,已在豫北小城鹤壁获得突破。其中的PLC光分路器芯片早在20....

  莱迪思半导体公司推出MachXO3D FPGA,用于在各类应用中保障系统安全。不安全的系统会导致数据....

  莱迪思半导体公司(NASDAQ:LSCC),低功耗可编程器件的领先供应商,今日宣布推出MachXO3....

  警告西门子S7-200无法在设备“channel el1. device1”上写入地址“Q00000.01”

  各位大侠,麻烦帮忙看看,为什么总是提示无法写入地址?如图 设置方法我是按附件一步步设置的,先谢谢咯! ...

  VK1S68C是1/5~1/8 占空比的LED显示控制驱动电路。由10根段输出、4根栅输出、3根段/....

  在通信技术迅猛发展的今天,无线通信技术已成为物联网的主要支撑。在借助电力实现物联网功能的领域, WF....

  【分享源码】LABVIEW与松下PLC FPXH MODBUS通讯,含labview源码和PLC程序

  此程序是LABVIEW与松下PLC FPXH MODBUS通讯,含labview源码和PLC程序。使用簇绑定的方式通讯,简化通讯程...

  中美贸易战下,存储器市场波动情形持续受关注,研调机构集邦科技近日举行“Compuforum 2019....

  我想开发一种温度变送器,采集来自工业现场的PT100热电阻信号,并通过芯片直接驱动LCD现场显示,并且输出4-20mA信号给远程...

  我正在使用带有spartan-3E 1200k fpga的Nexys2板来设计一个微型光栅项目。 然而,32kb的bram还不足以让我的设计合身。 我必须...

  在移动办公中,闪存盘的需求依然是刚需,尤其是较大容量的闪存盘,相比移动硬盘的外观尺寸都更为小巧,非常....

  东芝存储64GBSDXCUHS-Ⅱ卡评测 对于有高清摄影需求的朋友是一个必备的利器

  俄罗斯世界杯不知道大家看爽了没?是不是感觉很多万万没想到的逆转,本来很强的球队,竟然早早都被送回了家....

  纵观数字集成电路的发展历史,经历了从电子管、晶体管、小规模集成电路到大规模以及超大规模集成电路等不同....

  外存储器 外储存器是指除计算机内存及CPU缓存以外的储存器,此类储存器一般断电后仍然能保存数据。 外存储器有...

  东芝推出XG6-P固态硬盘系列 XG6-P系列最高存储容量[2]可达2,048GB

  东芝存储器株式会社宣布推出XG6-P固态硬盘(SSD)系列,该系列为公司XG6系列的衍生系列。XG6....

  实验室的plc设备上有一个rs232接口,我用线直接连rx,tx,sg(地)到电脑usb串口上,发...

  2019年第一季度世界存储器产品营收为271.24亿美元 下降26.8%

  2019年第一季度,世界存储器(DRAM和NAND)产品营收额为271.24亿美元,与2018年第四....

  PLC可编程控制器是以微处理机基础发展起来的新型工业控制装置。它以体积小、功能强、可靠性高以及应用安....

  YUYS-02A PLC可编程控制及单片机实验开发系统综合实验装置资料说明

  一、特点1、装置采用组件多结构 更换实验模块便捷,如需扩展功能或开发新实验,只需添加实验挂箱即可,永....

  采用德州仪器(TI)的TMS320VC54xx芯片作为主处理器(CPU),如5402、5409、54....

  群联抢搭储存型快闪存储器(NAND Flash)需求爆发商机 ,今年在台北国际电脑展( Comput....

  2019将成为中国存储器发展的关键年,希望在强有力的政策支持下,加上国内厂商的不懈努力,中国存储器能....

  MCU,中文简称单片机。即将CPU、存储器(RAM和ROM)、多种I/O接口等集成在一片芯片上,形成....

  五月DRAM与NAND Flash价格持续滑落5-10%,第三季跌幅可望收敛

  智能型手机和笔记本计算机市场需求疲软的情况持续,五月份内存和闪存价格持续滑落,客户端的库存去化速度不....

  三星 K9F1GXXX0M 提供了 128M*8Bit/64M*16Bit 的存储容量,另外还有 3....

  看过了发烧友的TFTLCD源程序 请问这个显示中文的原理是什么 R80是什么? 还有就是为什么会去ascii码里去找中文呢? if(...

  输入电路中有RC滤波电路(上图中R1和C),用来防止输入触点抖动或者干扰脉冲引起的误动作。

  电动机全压起动控制的接触器电气控制逻辑由交流接触器KM线、热继电器动断触头FR、停止....

  本文档的主要内容详细介绍的是工业控制计算机基本构造原理的详细资料说明。

  高速SDRAM存储器接口电路设计 SDRAM可作为软嵌入式系统的(NIOSII)的程序运行空间,或者作为大量数...

  PLC综合控制柜具有过载、短路、缺相保护等保护功能。它具有结构紧凑、工作稳定、功能齐全。可以根据实际....

  本文档的主要内容详细介绍的是51单片机汇编语言教程之单片机逻辑与或异或指令的详细资料讲解。

  在51系列单片机中,与外部存储器RAM 打交道的只能是A 累加器。所有需要传送入外部RAM 的数据必....

  上两次我们做过两个实验,都是让P1.0 这个管脚使灯亮,我们能设想:既然P1.0 能让灯亮,那么其它....

  我们来思考一个问题,当我们在编程器中把一条指令写进单片要内部,通电后,单片机就可以执行这条指令,那么....

  为可编程逻辑控制器(PLC)或分布式控制系统(DCS)模块等过程控制应用设计模拟输入模块时,主要权衡....

  LTC3718的典型应用是用于DDR和QDR存储器终端的高电流,高效率同步开关稳压控制器...

  STM32F105xx和STM32F107xx系列微控制器的数据手册免费下载

  STM32F105xx和STM32F107xx互联型系列使用高性能的ARM® Cortex™-M3 ....

  科技公司Kathrein Solutions和Tonnjes合作利用Kathrein的读写器和软件平....

  近年来,随着经济的持续快速发展,生产、生活需水量不断增加,各种污染物排放总量不断增加,使水资源和水环....

  输入电路是PLC接收信号的端口(对模拟量来说一般为0-40MA直流电流或0-10V直流电压信号),输....

  据介绍,尽管有一些周期性和季节性影响,但是独立存储器市场在过去十年中经历了非凡的增长。这是由重要的行....

  项目分析项目分析需要对项目的生产工艺、工作环境、硬件需求和控制要求等方面进行全面分析。

  位置控制模式一般是通过外部输入的脉冲的频率来确定转动速度的大小,通过脉冲的个数来确定转动的角度,也有....

  全球半导体贸易协会(WSTS)数据显示,2018年全球半导体市场规模达到4688亿美元,同比增长13....

  这种单2输入正极和栅极设计用于1.65-V至5.5-V VCC操作。该CMOS器件具有高输出驱动,同....

  输入输出是PLC 与外部设备进行信息交流的通道,其是否正常工作,除了和输入输出单元有关外,还与联接配....

  本文档的主要内容详细介绍的是单片机的基础知识详细资料概述包括了:1 单片机简介,2 单片机的发展历....

  DCS系统接地是为了保证当进入DCS系统的信号、供电电源或DCS系统设备本身出现问题时,有效的接地系....

  根据笔者的工作实践经验发现,在平时所做的项目中。PLC与PLC之间的通讯是必不可少的,但是通讯的类型....

  本文基于自动驾驶应用场景分别从E/E架构、通讯方式、软件架构和流程标准等方面谈下与当前模式相比可能加....

  把内存固定地划分为若干个大小不等的分区供各个程序使用,每个分区的大小和位置都固定,系统运行期间不再重....

  1.DSP的C语言同主机C语言的主要区别? 1)DSP的C语言是标准的ANSI C,它不包括同外设....

  触摸屏是做工控行业经常接触的一个人机交互界面,将我们的设备参数等相关设置反应到屏幕上,将操作人员的操....

  PLC在现代工业控制领域中早己得到了广泛的应用。以PLC的控制功能而言,具有严谨、方便、易编程、易安....

  本参考手册面向应用开发人员,提供有关使用 STM32F405xx/07xx、STM32F415xx/....

  LE2416RLBXA EEPROM存储器,2线RLBXA是一个2线串行接口EEPROM。它结合了我们公司的高性能CMOS EEPROM技术,实现了高速和高可靠性。该设备与I C内存协议兼容;因此,它最适合需要小规模可重写非易失性参数存储器的应用。 单电源电压:1.7V至3.6V(读取) 擦除/写入周期: 10 循环(页面写入) 容量:16k位(2k x 8位) 工作温度:-40到+ 85°C 接口:双线串行接口(I C总线kHz 低功耗: 待机:2μA(最大) 有效(读取):0.5mA(最大) 自动页面写入模式:16字节 读取模式:顺序读取和随机读取 数据保留期:20年 上拉电阻:WP引脚上带有内置上拉电阻的5kΩ(典型值) 高可靠性...

  TLC5958 具有 48k 位存储器的 48 通道、16 位 PWM LED 驱动器

  信息描述TLC5958 是一款 48 通道恒流灌电流驱动器,适用于占空比为 1 至 32 的多路复用系统。 每个通道都具有单独可调的 65536 步长脉宽调制 (PWM) 灰度 (GS)。采用 48K 位显示存储器以提升视觉刷新率,同时降低 GS 数据写入频率。输出通道分为三组,每组含 16 个通道。 各组都具有 512 步长颜色亮度控制 (CC) 功能。 全部 48 通道的最大电流值可通过 8 步长全局亮度控制 (BC) 功能设置。 CC 和 BC 可用于调节 LED 驱动器之间的亮度偏差。 可通过一个串行接口端口访问 GS、CC 和 BC 数据。如需应用手册:,请通过电子邮件发送请求。TLC5958 有一个错误标志:LED 开路检测 (LOD),可通过串行接口端口读取。 TLC5958 还具有节电模式,可在全部输出关闭后将总流耗设为 0.8mA(典型值)。特性 48 通道恒流灌电流输出具有最大亮度控制 (BC)/最大颜色亮度控制 (CC) 数据的灌电流: 5VCC 时为 25mA 3.3VCC 时为 20mA 全局亮度控制 (BC):3 位(8 步长) 每个颜色组的颜色亮度控制 (CC):9 位(512 步长),三组使用多路复用增强型光谱 (ES) PWM 进行灰度 (GS) 控制:16 位 支持 32 路多路复用的 48K 位灰度数据...

  TPS59116 全套 DDR、DDR2 和 DDR3 存储器功率解决方案、用于嵌入式计算的同步降压控制器

  信息描述 The TPS59116 provides a complete power supply for DDR/SSTL-2, DDR2/SSTL-18, and DDR3 memory systems. It integrates a synchronous buck controller with a 3-A sink/source tracking linear regulator and buffered low noise reference. The TPS59116 offers the lowest total solution cost in systems where space is at a premium. The TPS59116 synchronous controller runs fixed 400-kHz pseudo-constant frequency PWM with an adaptive on-time control that can be configured in D-CAP™ Mode for ease of use and fastest transient response or in current mode to support ceramic output capacitors. The 3-A sink/source LDO maintains fast transient response only requiring 20-µF (2 × 10 µF) of ceramic output capacitance. In addition, the LDO supply input is available externally to significantly reduce the total power losses. The TPS59116 supports all of the sleep state controls placing VTT at high-Z in S3 (suspend to RAM) and dischargin...

  TPS53317A 用于 DDR 存储器终端的 6A 输出 D-CAP+ 模式同步降压集成 FET 转换器

  信息描述 TPS53317A 器件是一款设计为主要用于 DDR 终端的集成场效应晶体管 (FET) 同步降压稳压器。 它能够提供一个值为 ½ VDDQ的经稳压输出,此输出具有吸收电流和源电流功能。TPS53317A 器件采用 D-CAP+ 运行模式,简单易用,所需外部组件数较少并可提供快速瞬态响应。 该器件还可用于其他电流要求高达 6A 的负载点 (POL) 稳压应用。此外,该器件支持具有严格电压调节功能的 6A 完整灌电流输出。该器件具有两种开关频率设定值(600kHz 和 1MHz),可提供集成压降支持、外部跟踪功能、预偏置启动、输出软放电、集成自举开关、电源正常功能、V5IN 引脚欠压锁定 (UVLO) 保护功能,支持采用陶瓷和 SP/POSCAP 电容。 该器件支持的输入电压最高可达 6V,而输出电压在 0.45V 至 2.0V 范围内可调。TPS53317A 器件采用 3.5mm × 4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封装(绿色环保,符合 RoHS 标准并且无铅),其中应用了 TI 专有的集成 MOSFET 和封装技术,其额定运行温度范围为 –40°C 至 85°C。特性 采用 TI 专有的集成金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和封装技术支持 DDR 内存...

  TPS51716 完整 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器功率解决方案同步降压

  信息描述 TPS51716 用最少总体成本和最小空间提供一个针对 DDR2,DDR3,DDR3L 和 LPDDR3 内存系统的完整电源。 它集成了同步降压稳压器控制器 (VDDQ),此控制器具有 2A 灌电流/拉电流跟踪 LDO (VTT) 和经缓冲的低噪声基准 (VTTREF)。 TPS51716 采用与 500kHz 或 670kHz 工作频率相耦合的 D-CAP2™ 模式,此模式在无需外部补偿电路的情况下可支持陶瓷输出电容器。 VTTREF 跟踪 VDDQ/2 的精度高达 0.8%。 能够提供 2A 灌电流/拉电流峰值电流功能的 VTT 只需 10μF 的陶瓷电容器。 此外,此器件特有一个专用的 LDO 电源输入。TPS51716 提供丰富、实用的功能以及出色的电源性能。 它支持灵活功率级控制,将 VTT 置于 S3 中的高阻抗状态并在 S4/S5 状态中将 VDDQ,VTT 和 VTTREF 放电(软关闭)。 它包括具有低侧 MOSFET RDS(接通)感测的可编程 OCL,OVP/UVP/UVLO 和热关断保护。TPS51716 从 TI 出厂时采用 20引脚,3mm x 3mm QFN 封装并且其额定环境温度范围介于 -40°C 至 85°C 之间。特性 同步降压控制器 (VDDQ)转换电压范围:3V 至 28V输出...

  TPS51216 DDR2/3/3L/4 存储器电源解决方案同步降压控制器,2A LDO,缓冲参考

  信息描述 The TPS51216 provides a complete power supply for DDR2, DDR3 and DDR3L memory systems in the lowest total cost and minimum space. It integrates a synchronous buck regulator controller (VDDQ) with a 2-A sink/source tracking LDO (VTT) and buffered low noise reference (VTTREF). The TPS51216 employs D-CAP™ mode coupled with 300 kHz/400 kHz frequencies for ease-of-use and fast transient response. The VTTREF tracks VDDQ/2 within excellent 0.8% accuracy. The VTT, which provides 2-A sink/source peak current capabilities, requires only 10-μF of ceramic capacitance. In addition, adedicated LDO supply input is available.The TPS51216 provides rich useful functions as well as excellent power supply performance. It supports flexible power state control, placing VTT at high-Z in S3 and discharging VDDQ, VTT and VTTREF (soft-off) in S4/S5 state. Programmable OCL with low-side MOSFET RDS(...

  AD5175 单通道、1024位数字变阻器,配有I²C接口和50-TP存储器

  信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交流或双极性工作模式) I2C兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5175是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5175的游标设置可通过I²C兼容型数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5175不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5175提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度范围为−40°C至+125°C扩展...

  AD5174 单通道、1024位数字变阻器,配有SPI接口和50-TP存储器

  信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交流或双极性工作模式) SPI兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5174是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。 该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5174的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5174不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将电阻位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5174提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。保证工作温度范围为−40°C至+125°C扩展工业...

  AD5292 单通道、1%端到端电阻容差(R-TOL)、1024位数字电位计,具有20次可编程存储器

  信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ、50 kΩ和100 kΩ 标称电阻容差误差(电阻性能模式):±1%(最大值) 20次可编程游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 分压器温度系数:5 ppm/°C +9V至+33V单电源供电 ±9V至±16.5V双电源供电 欲了解更多特性,请参考数据手册 下载AD5292-EP (Rev 0)数据手册(pdf) 温度范围:−55°C至+125°C 受控制造基线 唯一封装/测试厂 唯一制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/12616 DSCC图纸号产品详情AD5292是一款单通道1024位数字电位计1,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件能够在宽电压范围内工作,支持±10.5 V至±16.5 V的双电源供电和+21 V至+33 V的单电源供电,同时确保端到端电阻容差误差小于1%,并具有20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291和AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供20次永久编程的机...

  AD5291 单通道、1%端到端电阻容差(R-Tol)、256位数字电位计,具有20次可编程存储器

  信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ, 50 kΩ和 100 kΩ 校准的标称电阻容差:±1%(电阻性能模式) 20次可编程 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 温度系数(分压器模式):5 ppm/°C +9 V 至 +33 V 单电源供电 ±9 V至±16.5 V 双电源供电 欲了解更多特性,请参考数据手册 产品详情AD5291/AD5292属于ADI公司的digiPOT+™ 电位计系列,分别是单通道256/1024位数字电位计1 ,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件的工作电压范围很宽,既可以采用±10.5 V至±16.5 V双电源供电,也可以采用+21 V至+33 V单电源供电,同时端到端电阻容差误差小于1%,并提供20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的保证低电阻容差误差特性可以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291/AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供20次永久编程的机会。在20-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将游标位置固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5291/AD52...

  信息优势和特点 四通道、64位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1 存储游标设置,并具有写保护功能 上电恢复至EEMEM设置,刷新时间典型值为300 µs EEMEM重写时间:540 µs(典型值) 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多信息,请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字控制电位计,可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,可以提供多种工作模式,包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器,并将其存储在EEMEM中。存储设置之后,系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器;也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...

  AD5254 四通道、256位、 I2C 、非易失性存储器、数字电位计

  信息优势和特点 四通道、256位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1存储游标设置,并具有写保护功能 上电恢复为EEMEM设置,刷新时间典型值为300 µs EEMEM重写时间:540 µs(典型值) 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读/写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多特性,请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字控制电位计,可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,可以提供多种工作模式,包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器,并将其存储在EEMEM中。存储设置之后,系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器;也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...

  信息优势和特点 非易失性存储器可保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数据保留期限:100年(典型值, TA = 55°C )产品详情AD5252是一款双通道、数字控制可变电阻(VR),具有256位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程,可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下,可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下,可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时,可以通过执行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就可以自动传输至RDAC寄存器,以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可以从外部访问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄...

  信息优势和特点 非易失性存储器保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写保护 数据保持能力:100年(典型值,TA = 55°C )产品详情AD5251是一款双通道、数字控制可变电阻(VR),具有64位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程,可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下,可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下,可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时,可以通过执行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就可以自动传输至RDAC寄存器,以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可以从外部访问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄存器...

  信息优势和特点 双通道、1024位分辨率 标称电阻:25 kΩ、250 kΩ 标称电阻容差误差:±8%(最大值) 低温度系数:35 ppm/°C 2.7 V至5 V单电源或±2.5 V双电源 SPI兼容型串行接口 非易失性存储器存储游标设置 加电刷新EEMEM设置 永久性存储器写保护 电阻容差储存于EEMEM中 26字节额外非易失性存储器,用于存储用户定义信息 1M编程周期 典型数据保留期:100年 下载AD5235-EP数据手册 (pdf) 温度范围:-40℃至+125°C 受控制造基线 一个装配/测试厂 一个制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/11605 DSCC图纸号产品详情AD5235是一款双通道非易失性存储器1、数控电位计2,拥有1024阶跃分辨率,保证最大低电阻容差误差为±8%。该器件可实现与机械电位计相同的电子调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和出色的低温度系数性能。通过SPI®-兼容串行接口,AD5235具有灵活的编程能力,支持多达16种工作模式和调节模式,其中包括暂存编程、存储器存储和恢复、递增/递减、±6 dB/阶跃对数抽头调整和游标设置回读,同时提供额外的EEMEM1 ,用于存储用户定义信息,如其他元件的存储器数据、查找表、系统标识信息等。...

  信息优势和特点 1024位分辨率 非易失性存储器保存游标设置 上电时利用EEMEM设置刷新 EEMEM恢复时间:140 µs(典型值) 完全单调性工作 端接电阻:10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 永久存储器写保护 游标设置回读功能 预定义线性递增/递减指令 预定义±6 dB/步对数阶梯式递增/递减指令 SPI®兼容型串行接口 3 V至5 V单电源或±2.5 V双电源供电产品详情AD5231是一款采用非易失性存储器*的数字控制电位计**,提供1024阶分辨率。它可实现与机械电位计相同的电子调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和遥控能力。该器件功能丰富,可通过一个标准三线式串行接口进行编程,具有16种工作与调整模式,包括便笺式编程、存储器存储与恢复、递增/递减、±6 dB/步对数阶梯式调整、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。在便笺式编程模式下,可以将特定设置直接写入RDAC寄存器,以设置端子W–A与端子W–B之间的电阻。此设置可以存储在EEMEM中,并在系统上电时自动传输至RDAC寄存器。EEMEM内容可以动态恢复,或者通过外部PR选通脉冲予以恢复;WP功能则可保护EE...

  CAT25128 128-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

  信息 CAT25128是一个128 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件保护 低功耗CMOS技术 SPI模式(0,0和1,1) 工业和扩展温度范围 自定时写周期 64字节页写缓冲区 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留

  8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准 具有永久写保护的附加标识页...

  CAT25256 256-kb SPI串行CMOS EEPROM存储器

  信息 CAT25256是一个256 kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。适用于新产品(Rev. E) ) 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0)和(1,1) ) 64字节页面写缓冲区 具有永久写保护的附加标识页(新产品) 自定时写周期 硬件和软件保护 100年数据保留 1,000,000编程/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写保护

  - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业和扩展温度范围 8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘UDFN和TDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...

  信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,内部组织为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...

  信息 CAT25080 / 25160是8-kb / 16-kb串行CMOS EEPROM器件,内部组织为1024x8 / 2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()输入启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25080 / 25160设备的任何串行通信。这些器件具有软件和硬件写保护功能,包括部分和全部阵列保护。 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 32字节页写缓冲区 自定时写周期 硬件和软件保护 块写保护 - 保护1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 符合RoHS标准的8引脚PDIP,SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装...

http://magaltouba.com/zifushurushebei/50.html
锟斤拷锟斤拷锟斤拷QQ微锟斤拷锟斤拷锟斤拷锟斤拷锟斤拷锟斤拷微锟斤拷
关于我们|联系我们|版权声明|网站地图|
Copyright © 2002-2019 现金彩票 版权所有